01.11.2020

Британские физики придумали универсальную память ULTRARAM

Разработка моделей головного мозга упирается в отсутствие подходящей памяти: одновременно быстрой, плотной и энергонезависимой. Для компьютеров и смартфонов тоже не хватает памяти с подобными свойствами. Открытие британских физиков обещает приблизить появление необходимой универсальной памяти.

Структура новой ячейки универсальной памяти (Nature)

Структура новой ячейки универсальной памяти (Nature)

Изобретение сделали физики из Ланкастерского Университета (Великобритания). Ещё в июне прошлого года в журнале Nature они опубликовали статью, в которой рассказали о решении парадокса универсальной памяти, которая должна сочетать не сочетаемое: скорость работы DRAM и энергонезависимость NAND.

В июньской статье подробно рассказывалось о ячейке памяти, которая использует квантовые свойства электрона. Благодаря волновой природе этой частицы она может туннелировать через запрещённый барьер. Для этого электрон должен обладать определённой величиной «резонансной» энергии. При приложении к разработанной учёными ячейке небольшого потенциала до 2,6 В электроны начинают туннелировать через трёхслойный барьер из материалов арсенида индия и антимонида алюминия (InAs / AlSb). В обычных условиях этот барьер препятствует прохождению электронов и удерживает их в ячейке без подачи питания, что позволяет длительно сохранять записанное в ячейку значение.

В свежем январском выпуске журнала IEEE Transactions on Electron Devices те же исследователи рассказали, что они смогли создать надёжные схемы считывания данных из таких ячеек и научились объединять ячейки в массивы памяти. Попутно физики выяснили, что «резкость переходных барьеров» создаёт предпосылки для создания очень плотных массивов ячеек. Также в процессе моделирования для 20-нм техпроцесса стало понятно, что энергоэффективность предложенных ячеек может быть в 100 раз лучше, чем у памяти DRAM. При этом скорость работы новой памяти ULTRARAM, как её назвали учёные, сопоставима с со скоростью DRAM и ложится в пределы 10 нс по быстродействию.

Зарегистрированная торпгновая марка новой памяти

Зарегистрированная торговая марка новой памяти

В настоящее время учёные занялись проектированием массивов ULTRARAM и переносом решений на кремний. Также начался этап проектирования логических узлов для записи и чтения данных из ячеек. Забавно, что учёные уже зарегистрировали торговую марку для обозначения новой памяти (см. картинку выше).

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

Поделиться ссылкой: