21.01.2021

Производитель «памяти для космоса» отметил высочайшую надёжность памяти MRAM Everspin

Помимо многих замечательных качеств, главными из которых являются устойчивость к перезаписи и длительное время удержания данных, магниторезистивная память отличается также устойчивостью к радиационному облучению. Последнее открыло перед памятью MRAM дорогу в небо и космос. Шесть лет сотрудничества компании Everspin с производителем электроники для аэрокосмической отрасли компанией CAES подтверждает это лучше всего.

Производитель «памяти для космоса» отметил высочайшую надёжность памяти MRAM Everspin

Компания Cobham Advanced Electronic Solutions (CAES) представила доклад по использованию памяти MRAM в условиях повышенного радиационного фона. Согласно данным CAES, чипы магниторезистивной памяти разработки компании Everspin выдерживают излучение до 1 Мрад без спонтанного появления ошибок в ячейках памяти, пробоев и случайных переключений значений (показатели SEU, SEL и SEGR).

Кроме высокой устойчивости к радиации память MRAM по технологии Everspin в виде 16-Мбит микросхем и 64-Мбит многочиповых сборок характеризуется практически неограниченным числом циклов перезаписи. На деле, конечно, это не так. Но память MRAM позволяет перезаписывать данные более 20 лет, что в среднем дольше, чем длятся космические миссии, а значит, память переживёт время жизни космического аппарата и не важно, как много раз она могла бы быть переписанной после выхода его из строя.

Также опытная эксплуатация и экстраполяция результатов даёт понять, что данные в памяти MRAM могут без изменения храниться свыше 20 лет при температуре в диапазоне от –40 °C +105 °C. Следует отметить, что речь идёт о микросхемах MRAM с технологическими нормами 180 нм, которые по заказу CAES выпускает компания TSMC. Для ячейки MRAM с меньшими технологическими нормами эти характеристики могут быть несколько хуже.

Клиентами CAES на память MRAM являются около 70 компаний, которые создали 144 разработки на основе этой технологии хранения данных. Для всех них и для индустрии было бы желательно повысить плотность записи в чипах MRAM. Это позволит новая технология STT-MRAM с записью в ячейку с помощью переноса момента спина электронов. Компания Everspin на линиях GlobalFoundries начала выпуск 1-Гбит 28-нм чипов STT-MRAM и планирует снизить технологические нормы производства до 12 нм. Впрочем, памяти STT-MRAM ещё предстоит пройти проверку космосом.

Источник:

Если вы заметили ошибку — выделите ее мышью и нажмите CTRL+ENTER.
Материалы по теме

Поделиться ссылкой: