Сегодня существует всего два производителя, способных выпускать чипы по нормам 5-нанометрового техпроцесса — Samsung и TSMC. Совсем недавно стало известно о сроках
перехода обеих компаний на более продвинутый 3-нанометровый технологический процесс.
Согласно новому отчёту, тайваньский производитель
микросхем TSMC начнёт массовое производство 3-нанометровых (N3) чипов
во второй половине 2022 года. При этом ежемесячная производственная мощность составит
55 000 единиц, а число сотрудников исследовательского центра вырастет с 15 000 до 20 000. Кроме
того, указывается, что выполненные по 3-нанометровым нормам чипы получат незначительные преимущества по сравнению с
5-нанометровыми.
Так, производительность улучшится всего в 1,1-1,15 раза, а энергопотребление уменьшится в 1,25-1,3 раза. Производитель
уточняет, что это относится к N5, а не к N5P. По сравнению с 7-нанометровым техпроцессом производительность N3 повысится в 1,25-1,35 раза при снижении
потреблении в 1,55-1,6 раза. Согласно официальной информации, технологический
процесс TSMC N3 будет основан на транзисторах FinFET, в то время как Samsung
заявляет о переходе на использование структуры GAA FET при производстве 3-нанометровых чипов.
Южнокорейский производитель заявляет, что массовое производство 3-нанометровых чипов стартует в 2022
году — это должно позволить полупроводниковому гиганту догнать TSMC. С этой
целью Samsung инвестировала $116 миллиардов в бизнес по производству
микросхем нового поколения. Кроме того, Samsung работает над 4-нанометровой технологией.
Источник: gizchina.com
